КАДМИЯ СЕЛЕНИД CdSe, темно-красные кристаллы с гексагон. решеткой типа вюрцита (а = 0,430 нм, с = 0,701 нм, z = 2, пространств. группа Р6тс); известны также модификации: метастабильная кубическая типа сфалерита (а = 0,605 нм, z = 4) и существующая при высоких давлениях кубическая типа NaCl (a = 0,549 нм). При 1300 МПа и 1252 °С сосуществуют жидкий и твердый CdSe с кристаллич. структурами типов вюрцита и NaCl. Для кадмия селенид с кристаллич. решеткой типа вюрцита: т. пл. 1263°С; плотн. 5,81 г/см3; С0p 49,41 Дж/(моль.К); DH0пл 43,9 кДж/молъ, DH0возг 212 кДж/моль, DH0обр - 143,1 кДж/моль, DG0обр - 139,7 кДж/молъ; S0298 82,8 Дж/(моль.К); ур-ние температурной зависимости давления пара (в Па): lgp = - 11090/T+ 12,01 (989-1325 К); температурный коэф. линейного расширения 10-6 К-1. кадмия селенид - полупроводник. при 300 К ширина запрещенной зоны 1,74 эВ, эффективная масса электронов проводимости me = 0,13m0, дырок тр= 0,45m0 (m0 - масса своб. электрона), подвижность электронов 580 см2/(В.с). кадмия селенид при испарении диссоциирует. В кадмия селенид растворяется Cd, растворимость (в ат. %): 0,0048 (697 °С), 0,025 (879 °С), 0,060 (1047 °С). кадмия селенид не раств. в воде. разлагается соляной кислотой, НNO3 и H2SO4. Получают кадмия селенид из Cd и Se сплавлением или в газовой фазе, осаждением из раствора CdSO4 под действием H2Se, реакцией CdS с H2SeO3, взаимод. между кадмий- и селенорг. соединениями. Монокристаллы выращивают осаждением из газовой фазы, методом Бриджмена и зонной плавкой. кадмия селенид -активная среда в полупроводник.вых лазерах. материал для изготовления фоторезисторов, фотодиодов, солнечных батарей, пигмент для эмалей. глазурей и художеств. красок. При нарушении стехиометрии или введения в кристаллы CdSe посторонних примесей, чаще всего элементов I и VII гр. периодич. системы (напр., Сu, Сl), кадмия селенид приобретает фоточувствит. свойства и используется в мишенях видиконов (кадмиконов), работающих в видимой области спектра, а также в электрофотографии. Токсичен. П. В. Ковтуненко, Я. Л. Хариф.
