КРЕМНИЯ ОКСИД SiO, устойчив в газообразном состоянии (SiOr) выше 1000°С; для газа. C0p 29,901 Дж/(моль К), DH0обр - 100,000 кДж/моль, S0296 211,489 Дж/(моль.К). При быстром охлаждении SiO конденсируется в аморфный продукт SiOx-1, (плота. 2,15 г/см3) светло-коричневого цвета, реиспаряющийся в вакууме с послед. конденсацией аморфного SiOx (0<х[1), свойства которого определяются условиями реиспарения. При старении и отжигах SiOx распадается на кластеры из Si и SiO2, содержащие До 1020 см-3 парамагнитных центров. кремния оксид не имеет определенных температур плавления и кипения. DH0исп 240-380 кДж/моль. Оптич. свойства SiOx зависят от скорости конденсации, остаточного давления О2 и др. факторов; коэф. поглощения 0,02 (l=700 нм)-0,20 (l=400 нм); показатель преломления в видимой области 1,5-3,8.
Структура SiOx удовлетворительно описывается моделью случайного распределения тетраэдров Si-SiyO4-y (у=1,2,3), статистич. веса которых зависят от величины х. При нагр. на воздухекремния оксид частично окисляется; при 500 °С взаимод. с парамиводы и СО2, выделяя соотв. Н2 и СО; при 800 °С реагирует с Сl2, давая SiCl4.
кремния оксид образуется при восстановлении SiO2кремнием. С, Н2, углеводородами. окислении Si при недостатке О2, диссоциации SiO2 выше 1800°С. Газообразный кремния оксид обнаружен в газопылевых облаках межзвездных сред, на солнечных пятнах, в разреженных пламенах моносилана с О2, в продуктах взаимод. паров Si с N2O.
кремния оксид-материал для изолирующих, защитных, пассивирующих, оптич. слоев в полупроводниковых устройствах, волоконной оптике. Слои наносятся напылением в вакууме, реактивным распылением Si в плазме О2. Образующийся
при термич. окислении Si слой (между Si и пленкой SiO2) состава SiOx (0[х[2) толщиной до 1 нм определяет электрофиз. параметры структур SiO2-Si.
Лит.: Гельд П. В., Есин О. А., Процессы высокотемпературного восстановления. Свердловск. 1957; Sosman R. В., The phases of silica. New Brunswick, 1965, p. 7-10; Rockow E.G., The chemistry of silicon, Oxf.-[a.o.], 1975 (Pergamon texts hi inorganic chemistry, v. 9); Finster J, Schulze D, Meisel A, "Surface Science", 1985, v. 162, p. 671-79. В. И. Белый.
