кристаллизующийся бесцв. прозрачный термопластичный полимер изотактич. структуры; мол. м. 3·104-6·105; плотн. 0,830-0,834 г/см*; т. пл. 230-240 °С; степень кристалличности ~40%. Устойчив к действию воды. насыщ. растворов солей. конц. НС1 и H2SO4, разб. HNO3, хромовой и уксусной кислот, разб. растворов щелочей. а также масел,спиртов, фенолов. неустойчив к действию ароматич. углеводородов. алкилацетатов и ССl4. Легко окисляется на воздухе. Ниже приведены основные свойства поли-4-метил-1-пентен:
Газо- и паропроницаемость у поли-4-метил-1-пентен несколько выше, чем у полипропилена и полиэтилена.
В промышленности поли-4-метил-1-пентен получают полимеризацией 4-метил-1-пен-тена в массе на кат. Циглера- Натты [ТiС13-А1(С2Н5)2С1] при 45-70 °С и давлении до 0,4 МПа. Полученную суспензиюполи-4-метил-1-пентен в мономере промывают, полимер отжимают и сушат, после чего в него вводят стабилизирующие добавки и гранулируют.
Для модифицирования свойств поли-4-метил-1-пентен осуществляют сополиме-ризацию 4-метил-1-пентена с а-олефинами. Так, сополимеры с 1-гексеном обладают повыш. эластичностью и ударопроч-ностью, с 1-бутеном-улучшенными гибкостью, прочностью и стойкостью к старению, с диенами-способностью к вулканизации.
В лаборатории поли-4-метил-1-пентен получают полимеризацией мономера в инертной атмосфере на катализаторах. состоящих из алкилов или галогеналкилов металлов 1-III гр. и хлоридов Ti, V, Zr или др. переходных металлов.
Перерабатывают поли-4-метил-1-пентен всеми известными для термопластов методами (см. Полимерных материалов переработка). Применяют для изготовления оболочек для проводов и кабелей, светотехн. изделий, корпусов электрич. приборов, прозрачной пленки для электро- и радиоизоляции, работающих в более жестких температурных условиях, чем полиэтилен, лаб., чайной и столовой посуды и др., а также волокон.
Мировое производство 8-10 тыс. т (1985).
Впервые пром. производство поли-4-метил-1-пентен реализовано в Великобритании в 1960.
Лит.: Кренцель Б. А., Клейнер В. И., Стоцкая Л. Л., Высшие по-лиолефины, М., 1984. С. С. Шаняев.