| Соединение |
Тпл, °С |
Ткип, °С |
ΔН°пл, кДж/моль |
ΔН°исп, кДж/моль |
| SiF4 |
-86,8 |
-95* |
3,38 (186,35 К) |
15,3 (186,33 К) |
| Si2F6 |
-18,7 |
-19,1 |
16 (254,4 К) |
27 (254,4 К) |
| Si3F8 |
-1,2 |
42,0 |
22 (272 К) |
37 (315 К) |
| Si4F10 |
67 |
85 |
29 (349 К) |
45 (358 К) |
| (SiF3)2O |
-47,7 |
-23,2 |
|
|
| SiH2F2 |
-122,0 |
-77,8 |
|
19 (170 К) |
| SiHF3 |
-131,2 |
-97,5 |
|
19 (175,6 К) |
| SiCl3F |
-120,8 |
12,2 |
|
25 (285,3) |
| SiCl2F2 |
-139,7 |
-32,3 |
|
21,2 (241 К) |
| SiClF3 |
-142,0 |
-70,0 |
|
18,4 (203,1 К) |
| SiHCl2F |
-149,5 |
-54,3 |
|
19,8 (218,8 К) |
| * Температура возгонки. |
× Источник: Химическая энциклопедия. Под ред. И.Л. Кнунянца. Т. 2. -М.: Советская энциклопедия., 1990. С. 1031.
к алфавитному указателю справочника
к полному списку таблиц справочника
|
|
