Сообщение
МОNSТА » Пт мар 22, 2013 11:36 am
Окись графита - она как бы традиционно трактуется как продукт внедрения кислорода между графеновых листов графита, а отнюдь не как присоединение кислорода к их поверхности. Правда, как электрохимик, я неоднократно наблюдал пики окисления графита при ~0.6 B (н.в.э.) (почти обратимый процесс, традиционно трактуется как окисление-восстановление поверхностных ОН-групп хиноидной природы) и окисление графита до окиси, при примерно 1.2 В. Предельно необратимый процесс, обратные прики восстановления оксида регистрируются около 0 В. Тем не менее, при потенциалах образования оксида графита на его поверхности уже будет изрядное количество хиноидных групп. Причем количества электричества, которые идут на образование оксида и этих хиноидных групп, вполне соизмеримы. Вот этого я не понимаю. Для графеновых листов окисление гидрохинона в хинон актуально где-то по краям листа и по его дефектам, а образование оксида графита должно происходить повсеместно. Количества электричества должны отличаться на порядки. Тут или влияние адсорбированных примесей вроде натурального гидрохинона, или еще что. Но, как бы, в любом случае оксид графита совсем не обязан давать какие-то эфиры с чем бы то ни было. За него это делают некие группы, уже присобаченные к поверхности графита еще до того, как этот оксид реально образовался. И не факт, что именно на графите, может, это примеси работают. И далеко не факт, что это именно карбоксильные группы. Правда, тут материи очень сложные, а я в них не особо копенгаген.
